POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

Valentina Martínez Rendón; Carolina Castaño Uribe; Andrea Giraldo Martínez; Juan Pablo González Pereira; Ricardo León Restrepo Arango; Álvaro Luis Morales Aramburo; Carlos Alberto Duque Echeverri

doi:10.24050/reia.v12i2.966

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

10.24050/reia.v12i2.966

Published 2016-05-16

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POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES (V. Martínez Rendón, C. Castaño Uribe, A. Giraldo Martínez, J. P. González Pereira, R. L. Restrepo Arango, Á. L. Morales Aramburo, & C. A. Duque Echeverri, Trans.). (2016). Revista EIA, 12(2), 85-94. https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966

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Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.

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Authors

Valentina Martínez Rendón

Envigado, Colombia
Carolina Castaño Uribe

Envigado, Colombia
Andrea Giraldo Martínez

Envigado, Colombia
Juan Pablo González Pereira

Envigado, Colombia
Ricardo León Restrepo Arango

Envigado, Colombia
Álvaro Luis Morales Aramburo

Universidad de Antioquia
Carlos Alberto Duque Echeverri

Universidad de Antioquia

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