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POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

10.24050/reia.v12i2.966
Publicado 2016-05-16
Artículos

Resumen

Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.

Palabras clave

Autores/as

  • Valentina Martínez Rendón

    Universidad EIA

  • Carolina Castaño Uribe

    Universidad EIA

  • Andrea Giraldo Martínez

    Universidad EIA

  • Juan Pablo González Pereira

    Universidad EIA

  • Ricardo León Restrepo Arango

    Universidad EIA

  • Álvaro Luis Morales Aramburo

    Universidad de Antioquia

  • Carlos Alberto Duque Echeverri

    Universidad de Antioquia

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